미국 제재 대상인 중국 국영 반도체회사 상하이마이크로일렉트로닉스(SMEE·上海微電子裝備)가 28나노(㎚, 10억분의 1m) 노광 장비를 개발한 사실이 공식 발표됐다.

SMEE의 후원사인 상하이장장그룹은 지난주 중국 소셜미디어 위챗 계정을 통해 SMEE가 중국 첫 28나노 노광장비를 개발했다고 밝혔다.

이는 SMEE의 28나노 노광장비 개발에 대한 첫 공식 확인이지만, 이에 대한 중국 매체들의 보도는 검열됐다고 홍콩 사우스차이나모닝포스트(SCMP)가 31일 보도했다.

앞서 지난 7월 말 중국 증권일보는 SMEE가 연말까지 자체 개발한 28나노 노광 장비 SSA/800-10을 인도할 것으로 전망된다고 전했다.

미국의 대중국 반도체 수출 통제에 네덜란드와 일본이 가세해 중국 업체들이 첨단 반도체와 첨단 반도체 장비를 구할 수 없게 된 상황에서 SMEE가 반도체 장비 자급에서 이정표를 세운 것이다.

'중국판 ASML'을 꿈꾸는 SMEE는 중국의 거의 유일한 반도체 노광장비 제작사다.

네덜란드의 ASML이 세계 노광장비 시장을 거의 독점한 가운데 SMEE는 중국이 밀어붙이는 반도체 기술 자립을 위한 핵심 회사다.

노광장비는 극자외선(EUV) 등 빛을 반도체 원재료인 웨이퍼에 비춰 미세한 회로를 새겨넣을 때 쓴다.

반도체 제품은 크게 노광장비를 이용한 회로 패턴 새겨넣기, 화학 약품을 이용해 필요한 회로를 남기고 나머지 부분을 녹여 벗겨내는 식각, 패키징을 비롯한 후공정을 거쳐 제작되는데 미세 공정 시대에 접어들면서 최첨단 노광장비의 중요성이 날로 커지는 상황이다.

미국 정부는 ASML의 노광장비에 자국산 부품이 다수 사용된다는 점을 근거로 ASML의 최첨단 미세 공정 노광장비의 중국 수출을 제한하고 있다.

세계적으로 상용화 경쟁이 본격화한 7나노 이하 미세공정 반도체 제품을 생산하려면 ASML이 독점 생산하는 EUV 노광장비가 반드시 필요하다.

반도체 업계에서 일반적으로 14나노 이하를 미세 공정, 이상을 성숙 공정으로 구분한다.

SMEE가 개발한 노광장비는 ASML의 EUV 노광장비에 한참 뒤처졌지만 중국이 반도체 성숙 공정에 집중하면서 28나노 노광장비의 개발은 중요한 성취라고 SCMP는 진단했다.

반도체장비재료협회(SEMI)는 최근 보고서에서 중국이 미국의 제재로 첨단 장비 수급에 어려움을 겪으면서 범용 반도체를 위한 성숙 공정에 투자를 이어갈 것으로 전망했다.

타이완(臺灣) 시장조사업체 트렌드포스는 최근 보고서에서 중국이 현재 44개 반도체 웨이퍼 공장을 가동하고 있고 22개의 공장을 추가로 건설 중이라고 밝혔다.

이어 2024년 말까지 중국 32개 공장에서 28나노 이상 성숙 반도체 생산 역량이 확대될 경우 현재 세계 시장 점유율이 31%인 중국의 범용 반도체 제조 역량이 2027년까지 39%에 도달할 것으로 전망했다.

이런 흐름 속에서 지난주 미국 상무부는 자국 기업의 중국산 범용 반도체에 대한 의존도 등 중국의 범용 반도체 생산에 대한 정보를 수집할 계획이라고 발표했다.

앞서 미국 하원의 미중전략경쟁특위는 지난 12일 공개한 보고서에서 "중국이 범용 반도체를 지배하지 못하도록 시급히 행동해야 한다"며 상무부가 중국산 범용 반도체에 관세를 부과할 것을 권고했다.

SCMP는 미국의 규제 강화 속에 중국 반도체 업계가 올해 힘든 한 해를 보낸 가운데 자립을 위한 노력을 새롭게 다지게 하는 동기를 부여했다고 분석했다.

그러면서 중국 최대 통신장비업체 화웨이가 미국의 제재를 뚫고 지난 8월 말 자국산 7나노 프로세서를 탑재한 최신 스마트폰을 출시하며 분위기를 띄웠다고 덧붙였다.

SCMP는 "업계 관계자들은 미국의 제재로 지금까지 외국산 장비가 장악했던 중국 웨이퍼 공장에서 중국 장비 업체들이 자사 장비를 인증받을 드문 기회를 얻고 있다고 말한다"고 전했다.

[스트레이트뉴스 장도은 기자]