D램(휘발성 메모리)을 이어 차세대 메모리로 꼽히는 M램(자기저항메모리) 시장이 빠르게 확장하고 있다. 

26일 시장조사업체 테크나비오에 따르면 M램 시장 규모는 오는 2024년 9억5271만달러(약 1조1600억원) 규모로 성장할 전망이다. 2020년부터 2024년까지 연평균성장률(CAGR)은 39%에 달할 것으로 예상된다. 

M램은 자성체 소자를 이용한 비휘발성 메모리다. 플래시 메모리보다 쓰기 속도가 약 1000배 빠르고 전력 소모가 적은 것이 특징이다. 낸드플레시와 같이 전력 공급이 멈춰도 데이터가 유지되며, 데이터 쓰기 속도는 D램과 비슷하다. 

현재 M램 시장의 주력 제품은 STT(스핀전달토크) M램이다. T(트랜스포즈) M램보다 전력 소모가 적고 확정성이 뛰어난 것이 특징이다. 또한, 데이터 읽기와 쓰기 시간이 빠르고 크기가 작으며 기존 D램과 S램 기술과 호환된다. 

M램 시장에서 경쟁 중인 주요 기업은 미국의 인텔과 퀄컴, 허니웰과 일본의 후지쯔 등이다. 삼성전자는 2019년 3월 28나노 FD-SOI(완전공핍형 실리콘 온 인슐레이터) 공정 기반 eM램(내장형 M램) 솔루션을 업계 최초로 개발하며 시장에 뛰어들었다. 

삼성전자는 올해 1월 M램 기반의 인-메모리(In-Memory) 컴퓨팅도 세계 최초로 구현했다. 인-메모리 컴퓨팅은 메모리 내에서 데이터 저장과 연산을 함께 수행하는 최첨단 반도체 기술이다. 

M램은 데이터 안정성이 높고 속도가 빠른 장점에도 저항값이 낮아 인-메모리 컴퓨팅에 적용해도 전력 이점이 크지 않았다. 삼성전자 연구진은 M램의 한계를 기존 '전류 합산' 방식이 아닌 새로운 개념의 '저항 합산' 방식으로 저전력 설계에 성공했다.

[스트레이트뉴스 유희석 기자]