삼성전자가 2025년 2nm(나노미터, 1nm=10억분의 1m)에 이어, 2027년 1.4nm 공정을 도입한다. 또한, 오토모티브, 사물인터넷(IoT) 등 모바일을 이외 제품군 매출 비중을 50% 이상으로 늘리기로 했다. 삼성전자는 3일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 열린 '삼성 파운드리 포럼 2022'을 통해 파운드리(반도체 위탁생산) 신기술과 사업 전략을 공개하며 이같이 밝혔다. 

삼성전자는 2015년 핀펫(FinFET) 트랜지스터를 세계 최초로 양산하고, 지난 6월 GAA(Gate All Around) 트랜지스터 기술을 적용한 3nm 1세대 공정 양산을 세계 최초로 시작한 바 있다. GAA 기반 공정 기술 혁신을 지속해 2025년 2nm, 2027년 1.4nm 등 공정을 계속 발전시킬 계획이다.

삼성전자는 공정 혁신과 동시에 2.5D(I-Cube, 실리콘 인터포저 위에 로직과 HBM 배치)/3D(X-cube, 웨이퍼 상태의 여러 반도체를 위로 얇게 적층) 이종 집적(Heterogeneous Integration) 패키징 기술 개발 속도도 높일 예정이다. 특히, 3nm GAA에 독자 기술인 MBCFET(Multi Bridge Channel FET) 구조를 적용하고, 3D IC 솔루션도 제공할 예정이다. 

또한 HPC, 차량용 반도체, 5G, IoT 등 고성능 저전력 반도체 시장을 적극 공략해, 2027년까지 모바일을 제외한 제품군의 매출 비중을 50% 이상으로 키워 갈 계획이다. 삼성전자는 이미 지난 6월 세계최초로 3nm 공정 기반의 HPC 제품을 양산했으며, 4nm 공정을 HPC와 오토모티브로 확대한다. 현재 양산 중인 28nm 차량용 eNVM 솔루션을 2024년 14nm로 확대하고, 향후 8nm eNVM 솔루션을 위한 기술도 개발 중이다.

삼성전자는 RF(무선주파수) 공정 서비스도 확대한다. 삼성전자는 현재 양산 중인 14nm RF 공정에 이어 세계 최초로 8nm RF 제품 양산에 성공했다. 5nm RF 공정도 개발 중이다. 삼성전자는 새로운 팹리스(반도체 설계) 고객을 발굴하는 한편 하이퍼스케일러(대규모 데이터센터 운영 기업), 스타트업 등 신규 고객도 적극 유치할 계획이다. 이를 위해 2027년까지 선단 공정 생산능력을 올해 대비 3배 이상 확대해 고객 니즈에 적극 대응할 계획이다.

삼성전자는 클린룸을 선제적으로 건설하고, 향후 시장 수요와 연계한 탄력적인 설비 투자로 안정적인 생산 능력을 확보해 고객 수요에 적극 대응하는 '쉘 퍼스트' 라인을 운영할 계획이다. 특히, 미국 테일러 파운드리 1라인에 이어 투자할 2라인을 '쉘 퍼스트'에 따라 진행할 계획이며 국내외 다른 사업장으로 확대하는 방안을 검토 중이다. 

[스트레이트뉴스 유희석 기자]